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电子元器件详细资料 » IC[20238] » IRF5810TRPBF
型号:IRF5810TRPBF类别:FET - 阵列制造商:International Rectifier
封装:6-TSOP(0.059",1.50mm 宽)描述:MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
系列HEXFET®
制造商International Rectifier
FET型2 个 P 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C2.9A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C90 毫欧 @ 2.9A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221.2V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs9.6nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds650pF @ 16V
功率_最大960mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSOP(0.059",1.50mm 宽)
供应商设备封装Micro6?(TSOP-6)
包装剪切带 (CT)

IRF5810TRPBF相关型号

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